「華辰芯光」完成超億元A1輪融資,合創(chuàng)資本領投
近日,光通信和激光雷達芯片提供商無錫市華辰芯光半導體科技有限公司(以下簡稱“華辰芯光”)完成超億元A1輪融資。本輪融資由合創(chuàng)資本領投,賽智伯樂、富春資本等機構跟投,融資資金將主要用于芯片產能擴建。
華辰芯光成立于2021年9月,公司核心業(yè)務聚焦光通信和激光雷達市場,是一家從事高可靠半導體激光芯片的設計、外延生長、FAB制造的高科技企業(yè)。公司目標是在5年內成為砷化稼(GaAs))和磷化銦(InP)領域亞洲最大的光通信和激光雷達用激光芯片制造中心。
激光芯片作為關鍵零部件,具有萬億級市場空間,能廣泛應用于電信與數據中心基礎設施、消費電子、汽車電子、工業(yè)制造、衛(wèi)星通訊、光子計算、 VR等多個領域。
Lightcounting預計到2022-2025年,全球光通信芯片市場規(guī)模將從22.9億美元增長到41.5億美元,其下游所涉及的終端產品市場規(guī)模高達1000億美元以上。我國光芯片市場有望從 2022 年的 7.5 億美元增長至 2025 年的 15 億美元,國內下游的光模塊及光系統(tǒng)產品市場規(guī)模也超過數千億人民幣。
光芯片行業(yè)的的難點在于芯片的生產制造,制造能力水平的高低取決于外延和FAB關鍵工藝的掌握。華辰掌握有多項獨有的技術,如高可靠、高亮度、能量型半導體激光芯片腔面關鍵處理工藝-WXP技術,SGDBR型可調窄線寬半導體激光芯片制造技術、和低成本6寸GaAs和4寸InP 混合無接觸FAB制造技術等,可以快速為國內外的高端光模塊客戶提供大產能、低成本、高品質的光產品解決方案。
華辰芯光擁有一個研制激光芯片全流程成建制海外歸國專家創(chuàng)業(yè)團隊。公司采用IDM模式生產芯片 ,自建了芯片設計平臺、材料生長平臺、器件前端工藝平臺、器件后端工藝平臺、可效性與機理分析平臺、封裝測試平臺等激光芯片全流程研發(fā)和制造功能模塊,并且每個功能模塊華辰芯光都掌握有大量的know-how核心技術。
華辰芯光業(yè)務布局
華辰芯光的核心業(yè)務聚焦電信、數據通信和激光雷達產品。
華辰芯光的光通信芯片可以應用于核心網、骨干網、城域網、數據中心互聯(lián)等領域。
傳輸距離大于1000公里的電信市場,因使用環(huán)境較為苛刻,需要能用于海洋、空中、陸地等多種場景,適宜溫度在零下40度到零上85度之間,對產品的生命周期要求是25年以上,具有極其高的技術門檻。
中國電信領域所用的高端光芯片基本上為國外光電巨頭所壟斷,國產替代產品仍處于空白。其中,中國電信領域中長距離骨干網所用可調信號光源 及放大器用增益放大芯片國產化率極低,幾乎全部被美國公司壟斷。
華辰芯光正在研發(fā)應用于電信領域中繼放大產品的單模980nm/1480nm激光芯片和模塊產品,該產品具有高可靠、低成本、全流程自主可控的優(yōu)勢,預計2024年該系列產品將推向市場。
在數據通信領域,國內產品主要以100G、200G中低速率的光模塊居多,所用的光芯片大多為速率較低的10G或25G光芯片。
華辰芯光面向國內高速400G、800G光模塊市場,研發(fā)出配套的50G和100G PAM4 VCSEL產品。
其中50G PAM4 VCSEL光芯片已經通過8000小時的可靠性壽命測試,等效正常工作>10萬小時,開始向國內光模塊廠商進行銷售。
華辰芯光也是國內最快研制出面向800G光模塊所用的100G PMA4 VCSEL光芯片的國內廠商,100G PAM4 VCSEL正常工作電流在9mA,華辰100G PAM4 VCSEL在電流8mA下達到了31.36GHz的帶寬,同時在模塊端測試展現了良好的眼圖結果,TDECQ=2.17dB,產品已經在國際頭部企業(yè)進行測試,預計2024年Q1將進入市場。
在激光雷達領域,公司已量產了面向衛(wèi)星通信、汽車無人駕駛等ToF1550nm激光雷達產品用的高可靠的泵浦激光芯片,華辰芯光每年可以為國內外提供超過1000萬顆激光雷達用光芯片。
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